时间：2025/12/24 11:11:27
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SI7478DP-T1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高效率的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。其封装形式为 SuperSOT-612A（DPAK），有助于提高散热性能和简化 PCB 布局。
该型号的额定电压为 30V，最大电流能力高达 54A（在特定条件下）。由于其出色的电气特性和紧凑的封装设计，SI7478DP-T1 成为了许多高效能功率转换电路中的理想选择。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SuperSOT-612A（DPAK）
额定电压：30V
最大漏极电流：54A（脉冲条件）
导通电阻（Rds(on)）：1.4mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：26nC（典型值）
总电容：1900pF（输入电容Ciss）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
功耗：140W（最大值，基于封装）
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低导通损耗并提升系统效率。
2. 高电流承载能力（高达 54A），适合大功率应用。
3. 使用 TrenchFET? 第三代技术，显著减少了导通电阻与芯片面积之间的权衡问题。
4. 支持高频开关操作，适用于现代高效的开关模式电源设计。
5. 良好的热性能，允许在高功率密度应用中使用较小的散热器或无需散热器。
6. 宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），能够在恶劣环境下稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
8. 紧凑的 SuperSOT-612A 封装，节省 PCB 空间并简化布局设计。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 负载开关和电子保险丝，保护电路免受过流或短路影响。
4. 电机驱动和控制电路，如无刷直流电机 (BLDC) 或步进电机驱动。
5. 电池管理系统 (BMS)，用于电池充放电路径的开关控制。
6. 工业自动化设备中的功率管理模块。
7. 通信设备和服务器电源中的高效功率转换级。
1. Si7850DP：同样来自 Vishay 的 N 沟道 MOSFET，具有类似的导通电阻和封装形式，但额定电压为 20V。
2. IRFZ44N：一款经典的 N 沟道 MOSFET，额定电压为 55V，导通电阻略高，但广泛应用于各种功率转换场景。
3. FDN337N：Fairchild（现属于 ON Semiconductor）生产的一款 N 沟道 MOSFET，额定电压为 30V，导通电阻接近 SI7478DP-T1。
4. AO3400：Alpha & Omega Semiconductor 生产的 N 沟道 MOSFET，具备低导通电阻和相似的应用领域。
注意：在选择替代型号时，应仔细核对关键参数（如 Rds(on)、额定电压和电流能力）以确保符合具体应用需求。
