类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：120V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：12A
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 0.12Ω（@VGS=10V, ID=6A）
　　栅极电荷（Qg）：约 28nC
　　输入电容（Ciss）：约 1000pF

LN1231P122VR-G 具备低导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其高耐压能力（120V VDS）使其适用于多种中高压功率转换应用。该器件的封装形式（TO-252）具备良好的散热性能，适用于中等功率应用。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V~20V），可与多种驱动电路兼容，如PWM控制器或逻辑IC。该器件具备较高的耐用性和稳定性，适合在工业环境下长时间运行。其封装符合 RoHS 环保标准，适用于环保电子产品设计。
　　在动态性能方面，LN1231P122VR-G 具有较低的开关损耗，能够在高频开关应用中保持良好的效率。其寄生电容（Ciss、Coss、Crss）设计合理，有助于减少开关过程中的振荡和能量损耗。栅极驱动电荷较低，有助于降低驱动电路的负担，提高整体系统的响应速度。此外，该MOSFET具有良好的短路耐受能力，在极端工况下仍能维持稳定运行。

LN1231P122VR-G 广泛应用于各类电源系统中，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、负载开关以及电源管理模块等。此外，它也常用于工业自动化设备、通信电源、UPS不间断电源、LED照明驱动等对效率和可靠性有较高要求的场合。在电动汽车充电设备、太阳能逆变器等新能源应用中也有一定的使用场景。

IRF120N10D、FDP12N120、FQP12N120、APT120N12S、STP12NM120