SI7469DP-T1-GE3是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TrenchFET Gen III技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为DFN8(2mm x 3mm),非常适合用于便携式设备中的负载开关、同步整流器以及DC/DC转换器等应用。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:5.7A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总栅极电荷:8nC
输入电容:980pF
工作结温范围:-55°C至+150°C
SI7469DP-T1-GE3采用了先进的TrenchFET Gen III技术,使其具备非常低的导通电阻,从而显著降低了传导损耗。此外,该器件还具有出色的开关性能,能够满足高频开关应用的需求。
其小型化的DFN8封装不仅节省了电路板空间,而且增强了散热性能。这使得SI7469DP-T1-GE3成为各种功率管理应用的理想选择。
另外,该器件符合RoHS标准,并且支持无铅焊接工艺。
该MOSFET适用于多种电力电子领域,包括但不限于:
1. 便携式电子设备中的负载开关
2. 同步整流电路
3. DC/DC转换器中的开关元件
4. 电池管理系统
5. 电机驱动电路
6. 通信设备中的电源模块
SI7473DP, Si533DS