时间：2025/5/24 17:20:29
阅读：21
SI7469DP-T1-GE3是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TrenchFET Gen III技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为DFN8（2mm x 3mm），非常适合用于便携式设备中的负载开关、同步整流器以及DC/DC转换器等应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：5.7A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总栅极电荷：8nC
输入电容：980pF
工作结温范围：-55°C至+150°C
SI7469DP-T1-GE3采用了先进的TrenchFET Gen III技术，使其具备非常低的导通电阻，从而显著降低了传导损耗。此外，该器件还具有出色的开关性能，能够满足高频开关应用的需求。
其小型化的DFN8封装不仅节省了电路板空间，而且增强了散热性能。这使得SI7469DP-T1-GE3成为各种功率管理应用的理想选择。
另外，该器件符合RoHS标准，并且支持无铅焊接工艺。
该MOSFET适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 便携式电子设备中的负载开关
2. 同步整流电路
3. DC/DC转换器中的开关元件
4. 电池管理系统
5. 电机驱动电路
6. 通信设备中的电源模块
SI7473DP, Si533DS
