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SI7469DP-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/24 17:20:29 查看 阅读:17

SI7469DP-T1-GE3是Vishay Siliconix公司生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TrenchFET Gen III技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为DFN8(2mm x 3mm),非常适合用于便携式设备中的负载开关、同步整流器以及DC/DC转换器等应用。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  连续漏极电流:5.7A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷:8nC
  输入电容:980pF
  工作结温范围:-55°C至+150°C

特性

SI7469DP-T1-GE3采用了先进的TrenchFET Gen III技术,使其具备非常低的导通电阻,从而显著降低了传导损耗。此外,该器件还具有出色的开关性能,能够满足高频开关应用的需求。
  其小型化的DFN8封装不仅节省了电路板空间,而且增强了散热性能。这使得SI7469DP-T1-GE3成为各种功率管理应用的理想选择。
  另外,该器件符合RoHS标准,并且支持无铅焊接工艺。

应用

该MOSFET适用于多种电力电子领域,包括但不限于:
  1. 便携式电子设备中的负载开关
  2. 同步整流电路
  3. DC/DC转换器中的开关元件
  4. 电池管理系统
  5. 电机驱动电路
  6. 通信设备中的电源模块

替代型号

SI7473DP, Si533DS

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SI7469DP-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)80V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 10.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4700pF @ 40V
  • 功率 - 最大83W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI7469DP-T1-GE3TR