时间：2025/6/13 13:27:46
阅读：6
LESD8LH5.0CN3T5G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，广泛应用于高频率、高效率的电源转换场景。该型号属于增强型常闭（E-Mode）器件，采用DFN封装形式，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统能效并减小整体设计尺寸。
该器件适用于工业、消费电子以及通信领域中的高频AC-DC和DC-DC转换器、电机驱动、无线充电等应用。
最大漏源电压：650V
导通电阻：45mΩ
最大漏极电流：12A
栅极阈值电压：2.5V
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：DFN8x8
1. 基于氮化镓（GaN）材料，提供卓越的开关性能和高效率。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗。
3. 高开关频率支持（高达几MHz），有助于缩小无源元件体积。
4. 内置ESD保护功能，增强器件可靠性。
5. 小型化DFN封装，适合空间受限的应用环境。
6. 支持宽范围的工作温度，确保在极端条件下的稳定性。
1. 高频AC-DC和DC-DC转换器
2. 开关电源（SMPS）
3. 无线充电发射端
4. 消费类快充适配器
5. 工业电机驱动
6. 光伏逆变器及能量采集模块
7. 电信基站电源
GXT65R045E8, EPC2038
