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PJA3401_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/15 0:45:39 查看 阅读:21

PJA3401_R1_00001是一款由东芝(Toshiba)制造的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于需要高效能功率开关的场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):0.027Ω
  最大功耗(Pd):2W
  封装类型:SOP

特性

PJA3401_R1_00001具备低导通电阻,有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和优异的热稳定性使其适用于高功率密度设计。此外,该器件采用SOP封装,具有良好的散热性能,适合用于紧凑型电路设计。在工作温度范围内,该MOSFET能够保持稳定的性能,适用于各种工业和消费类电子设备。
  应用领域方面,PJA3401_R1_00001适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备中的功率管理模块。由于其高性能特性,该器件也可用于汽车电子系统中的功率控制应用。

应用

PJA3401_R1_00001常用于电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路以及电池供电设备中的功率控制部分。它也适用于汽车电子系统中的功率开关应用。

替代型号

TPS2R201

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PJA3401_R1_00001参数

  • 现有数量7,242现货
  • 价格1 : ¥3.50000剪切带(CT)3,000 : ¥0.78431卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)72 毫欧 @ 3.6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)633 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3