时间：2025/5/24 15:12:42
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SI7463ADP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特性，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。其封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术 (SMD) 的应用需求。
这款 MOSFET 的主要特点是能够提供高效的电流传输能力和较低的功耗，同时具备出色的热性能，能够在紧凑的设计中保持良好的稳定性和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：42A
导通电阻：2.5mΩ
总栅极电荷：48nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
SI7463ADP-T1-GE3 的设计重点在于降低导通损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。其低导通电阻 (<2.5mΩ) 特性使其在大电流应用中表现出色，而优化的栅极电荷参数则有助于减少开关过程中的能量损失。
此外，该器件的高雪崩能力确保了在异常条件下仍能保持可靠性。其封装形式 TO-252 提供了良好的散热性能，同时兼容自动化的 SMD 贴装工艺，降低了生产成本并提高了组装效率。
由于其出色的电气性能和可靠性，SI7463ADP-T1-GE3 成为许多高效能功率转换和控制应用的理想选择。
该器件适用于多种工业及消费类电子产品领域，包括但不限于以下应用场景：
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动与控制
- 电池管理系统 (BMS)
- 汽车电子中的负载切换
- LED 驱动电路
- 通信设备中的功率管理模块
这些应用充分发挥了 SI7463ADP-T1-GE3 在高效率、高可靠性和紧凑设计方面的优势。
SI7462DP, IRF7832, AO3400
