时间：2025/7/10 2:28:06
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SI7415DN 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的 TO-252 (DPAK) 封装，广泛用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。SI7415DN 的设计旨在提供出色的性能，特别是在功率转换、负载开关以及电机控制等领域。
其额定电压为 -60V，具有极低的导通电阻特性，使其成为高效率功率管理的理想选择。此外，该产品符合 RoHS 标准，并具备较高的浪涌电流能力。
最大漏源电压：-60V
连续漏极电流：-38A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极-源极电压：±20V
功耗：115W
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252(DPAK)
工作温度：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻确保了在高电流应用中的低损耗。
2. 高雪崩能量能力提高了器件的鲁棒性和可靠性。
3. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
4. 小型化封装有助于节省 PCB 空间。
5. 提供优异的热性能，能够有效散发热量。
6. 宽工作温度范围支持极端环境下的稳定运行。
7. 具备快速开关速度，减少开关损耗并提高效率。
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器。
2. 各类负载开关和保护电路。
3. 汽车电子系统中的电机驱动与控制。
4. 工业设备中的功率管理和逆变器。
5. LED 驱动和电池管理解决方案。
6. 通信设备中的电源模块设计。
SI7860DP, SI4493DY, IRFZ44N
