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SI7216DN-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/29 20:42:08 查看 阅读:8

SI7216DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术,具有较低的导通电阻和优秀的开关性能,适用于各种高效能电源管理应用。它主要被设计用于要求高效率和低功耗的应用场合,例如 DC/DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
  这款 MOSFET 的封装形式为小型化的 PowerPAK 1212-8L 封装,这种封装不仅有助于降低寄生电感,还提升了热性能表现。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻(典型值):1.6mΩ
  栅极-源极开启电压:1.5V
  总功耗:1.8W
  工作结温范围:-55℃ to 150℃

特性

SI7216DN-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),在 10V 栅极驱动电压下仅为 1.6mΩ,从而减少了传导损耗。
  2. 快速开关能力,具备低输入电容和输出电荷量,优化了高频操作中的效率。
  3. 采用 PowerPAK 1212-8L 封装,提供出色的散热性能和更小的占板面积。
  4. 符合 RoHS 标准,并且无卤素,满足环保需求。
  5. 可靠的雪崩击穿能力和短路耐受能力,提高了系统稳定性。

应用

SI7216DN-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC/DC 转换器
  3. 电池供电设备中的负载开关
  4. 通信设备中的功率管理模块
  5. 工业自动化中的电机驱动控制
  6. 各种便携式电子设备中的高效节能电路设计

替代型号

SI7194DN, SI7184DP, IRF7832

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SI7216DN-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C32 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs19nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds670pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? 1212-8 双
  • 供应商设备封装PowerPAK? 1212-8 Dual
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI7216DN-T1-GE3TR