时间：2025/5/29 20:42:08
阅读：20
SI7216DN-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有较低的导通电阻和优秀的开关性能，适用于各种高效能电源管理应用。它主要被设计用于要求高效率和低功耗的应用场合，例如 DC/DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为小型化的 PowerPAK 1212-8L 封装，这种封装不仅有助于降低寄生电感，还提升了热性能表现。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：15A
导通电阻（典型值）：1.6mΩ
栅极-源极开启电压：1.5V
总功耗：1.8W
工作结温范围：-55℃ to 150℃
SI7216DN-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在 10V 栅极驱动电压下仅为 1.6mΩ，从而减少了传导损耗。
2. 快速开关能力，具备低输入电容和输出电荷量，优化了高频操作中的效率。
3. 采用 PowerPAK 1212-8L 封装，提供出色的散热性能和更小的占板面积。
4. 符合 RoHS 标准，并且无卤素，满足环保需求。
5. 可靠的雪崩击穿能力和短路耐受能力，提高了系统稳定性。
SI7216DN-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC/DC 转换器
3. 电池供电设备中的负载开关
4. 通信设备中的功率管理模块
5. 工业自动化中的电机驱动控制
6. 各种便携式电子设备中的高效节能电路设计
SI7194DN, SI7184DP, IRF7832
