您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRLR024NTRPBF

IRLR024NTRPBF 发布时间 时间:2025/5/12 16:06:45 查看 阅读:8

IRLR024NTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道艗 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了逻辑电平栅极驱动设计,适合低电压应用场合。其封装形式为 TO-252 (DPAK),具有较低的导通电阻和快速开关特性,广泛应用于高效能电源管理、电机驱动以及便携式电子设备等领域。
  这款 MOSFET 的额定电压为 30V,能够承受较高的电流负载,并且具备良好的热性能,有助于提高系统效率和稳定性。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:98A
  导通电阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型值,当 Vgs=10V 时)
  栅极阈值电压:1V 至 2V
  总功耗:42W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:TO-252 (DPAK)
  存储温度范围:-65°C 至 150°C

特性

IRLR024NTRPBF 具有非常低的导通电阻,这使得它在高电流应用中表现出色,同时降低了功率损耗。
  其逻辑电平兼容的栅极驱动设计简化了电路设计,允许直接从微控制器或逻辑芯片驱动。
  该器件还具备出色的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常工作。
  此外,快速开关速度减少了开关损耗,进一步提高了整体效率。
  通过优化的封装设计,IRLR024NTRPBF 提供了良好的散热性能,非常适合需要紧凑型解决方案的应用场景。

应用

IRLR024NTRPBF 主要用于直流-直流转换器、负载切换、电机控制、电池保护等应用。
  在消费类电子产品中,如笔记本电脑适配器、智能手机充电器以及平板电脑中,这款 MOSFET 可以提供高效的电源管理方案。
  工业领域方面,它可以应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动工具以及其他需要高性能功率开关的设备。
  汽车电子中,此器件也适用于各类车身控制系统、LED 照明驱动及电机驱动等场景。

替代型号

IRLR024GTRPBF, IRLR024NPbF

IRLR024NTRPBF推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRLR024NTRPBF资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRLR024NTRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds480pF @ 25V
  • 功率 - 最大45W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLR024NPBFTR