IRLR024NTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道艗 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了逻辑电平栅极驱动设计,适合低电压应用场合。其封装形式为 TO-252 (DPAK),具有较低的导通电阻和快速开关特性,广泛应用于高效能电源管理、电机驱动以及便携式电子设备等领域。
这款 MOSFET 的额定电压为 30V,能够承受较高的电流负载,并且具备良好的热性能,有助于提高系统效率和稳定性。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:98A
导通电阻(Rds(on)):1.6mΩ(典型值,当 Vgs=10V 时)
栅极阈值电压:1V 至 2V
总功耗:42W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-252 (DPAK)
存储温度范围:-65°C 至 150°C
IRLR024NTRPBF 具有非常低的导通电阻,这使得它在高电流应用中表现出色,同时降低了功率损耗。
其逻辑电平兼容的栅极驱动设计简化了电路设计,允许直接从微控制器或逻辑芯片驱动。
该器件还具备出色的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常工作。
此外,快速开关速度减少了开关损耗,进一步提高了整体效率。
通过优化的封装设计,IRLR024NTRPBF 提供了良好的散热性能,非常适合需要紧凑型解决方案的应用场景。
IRLR024NTRPBF 主要用于直流-直流转换器、负载切换、电机控制、电池保护等应用。
在消费类电子产品中,如笔记本电脑适配器、智能手机充电器以及平板电脑中,这款 MOSFET 可以提供高效的电源管理方案。
工业领域方面,它可以应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动工具以及其他需要高性能功率开关的设备。
汽车电子中,此器件也适用于各类车身控制系统、LED 照明驱动及电机驱动等场景。
IRLR024GTRPBF, IRLR024NPbF