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SI7204-B-00-FV 发布时间 时间:2025/5/9 18:11:41 查看 阅读:10

SI7204-B-00-FV是来自Skyworks Solutions的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用小型化的DFN (MLP) 封装,适用于空间受限的应用场景。它具有低导通电阻(Rds(on))的特点,能够在高效率和低损耗条件下工作,非常适合用于便携式电子设备、电源管理以及开关应用中。
  该MOSFET的工作电压范围较广,能够承受较高的漏源极电压(Vds),同时具备良好的热特性和电气特性,从而确保在高频开关条件下的稳定运行。

参数

最大漏源极电压(Vds):30V
  最大栅源极电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):4.5A
  导通电阻(Rds(on)):85mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
  总功耗(Ptot):1.1W
  工作温度范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装类型:DFN-8 (MLP)

特性

SI7204-B-00-FV的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  3. 小尺寸封装设计,非常适合对空间要求严格的便携式设备。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足全球法规要求。
  5. 热稳定性强,适合长时间高温工作环境。
  6. 具备快速开关速度,适用于高频开关应用,减少开关损耗。

应用

SI7204-B-00-FV广泛应用于以下领域:
  1. 便携式电子设备中的负载开关。
  2. 消费类电子产品中的DC/DC转换器。
  3. 各种电池供电设备中的电源管理电路。
  4. 电机驱动控制,尤其是小型直流电机。
  5. 工业自动化设备中的信号切换和保护。
  6. 可穿戴设备和其他需要高效能功率管理的场合。

替代型号

SI7136DP, FDS6670A, BSS138

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SI7204-B-00-FV参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥12.16000带
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 功能卡销
  • 技术霍尔效应
  • 极化北极,南极
  • 感应范围0.6mT 跳闸,-0.6mT 释放
  • 测试条件0°C ~ 70°C
  • 电压 - 供电1.7V ~ 3.6V
  • 电流 - 供电(最大值)412μA(标准)
  • 电流 - 输出(最大值)-
  • 输出类型推挽式
  • 特性-
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23-5
  • 封装/外壳SC-74A,SOT-753