SI7204-B-00-FV是来自Skyworks Solutions的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用小型化的DFN (MLP) 封装,适用于空间受限的应用场景。它具有低导通电阻(Rds(on))的特点,能够在高效率和低损耗条件下工作,非常适合用于便携式电子设备、电源管理以及开关应用中。
该MOSFET的工作电压范围较广,能够承受较高的漏源极电压(Vds),同时具备良好的热特性和电气特性,从而确保在高频开关条件下的稳定运行。
最大漏源极电压(Vds):30V
最大栅源极电压(Vgs):±12V
连续漏极电流(Id):4.5A
导通电阻(Rds(on)):85mΩ(典型值,在Vgs=4.5V时)
总功耗(Ptot):1.1W
工作温度范围(Tj):-55°C 至 +150°C
封装类型:DFN-8 (MLP)
SI7204-B-00-FV的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 小尺寸封装设计,非常适合对空间要求严格的便携式设备。
4. 符合RoHS标准,环保且满足全球法规要求。
5. 热稳定性强,适合长时间高温工作环境。
6. 具备快速开关速度,适用于高频开关应用,减少开关损耗。
SI7204-B-00-FV广泛应用于以下领域:
1. 便携式电子设备中的负载开关。
2. 消费类电子产品中的DC/DC转换器。
3. 各种电池供电设备中的电源管理电路。
4. 电机驱动控制,尤其是小型直流电机。
5. 工业自动化设备中的信号切换和保护。
6. 可穿戴设备和其他需要高效能功率管理的场合。
SI7136DP, FDS6670A, BSS138