时间：2025/4/27 14:54:10
阅读：4
SI7201-B-32-IV 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型 MOSFET，由 Vishay Siliconix 公司生产。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，能够提供低导通电阻和高效率，特别适用于高频开关应用和负载点 (POL) 转换等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 MicroFET? 3x3 mm MLF（DS-32），具有非常小的外形尺寸，适合于空间受限的设计环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：6.4A
导通电阻（典型值，在 Vgs=10V 时）：8.5mΩ
栅极电荷（典型值）：7nC
总热阻（结到壳）：45°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
SI7201-B-32-IV 提供了极低的导通电阻，从而减少了传导损耗并提高了整体系统效率。
该器件的快速开关性能得益于其较低的栅极电荷，这使其非常适合用于高频 DC/DC 转换器和同步整流电路。
其采用的先进 TrenchFET Gen III 技术确保了卓越的功率密度和可靠性。
同时，MicroFET 封装使得此 MOSFET 成为便携式电子设备、通信设备以及工业控制系统的理想选择。
主要应用于笔记本电脑及平板电脑电源管理模块中的降压转换器；
服务器与网络设备中的负载点 (POL) 转换；
消费类电子产品中的电池充电器电路设计；
各类高效能 DC/DC 转换器以及同步整流解决方案。
SI7194DP, SI4485DY, IRF7832TRPBF
