时间：2025/12/27 7:37:47
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UT3P06G-AE3-R是一款由Unipower（友台半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽栅极工艺制造，专为高效率、高频率开关应用设计。该器件封装在DFN2533-8L（2.5×3.3mm）小型无铅表面贴装封装中，具有优良的热性能和电气性能，适用于空间受限且对功耗敏感的应用场景。UT3P06G-AE3-R的最大漏源电压（VDS）为60V，连续漏极电流（ID）在室温下可达42A，具备非常低的导通电阻，在VGS = 10V时典型值RDS(on)仅为5.8mΩ，这使其在大电流开关应用中能够显著降低导通损耗，提高系统整体效率。该MOSFET广泛应用于同步整流、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动以及负载开关等电源管理领域。产品符合RoHS环保要求，并通过了工业级可靠性测试，确保在严苛工作环境下稳定运行。其小型化封装有助于减少PCB占用面积，提升功率密度，是便携式电子设备和高集成度电源模块中的理想选择之一。
型号：UT3P06G-AE3-R
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）@25℃：42A
连续漏极电流（ID）@70℃：28A
脉冲漏极电流（IDM）：120A
功耗（PD）：3.5W
导通电阻 RDS(on) @ VGS=10V：5.8mΩ（典型值），7.2mΩ（最大值）
导通电阻 RDS(on) @ VGS=4.5V：8.5mΩ（典型值），10.5mΩ（最大值）
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
输入电容（Ciss）：1950pF @ VDS=30V, VGS=0V
输出电容（Coss）：490pF @ VDS=30V, VGS=0V
反向传输电容（Crss）：95pF @ VDS=30V, VGS=0V
体二极管反向恢复时间（trr）：28ns
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装：DFN2533-8L
UT3P06G-AE3-R采用先进的沟槽型场效应晶体管技术，具备极低的导通电阻与优异的开关性能，能够在高频率开关条件下实现高效的能量转换。其RDS(on)在VGS=10V时低至5.8mΩ，大幅降低了导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流输出的同步降压变换器或负载开关应用。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为18nC（@VGS=10V），有助于减少驱动电路的能量消耗并提升开关速度，从而进一步优化系统效率。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，DFN2533-8L封装底部带有裸露焊盘，可有效将热量传导至PCB，增强散热能力，适合在紧凑型高功率密度设计中长期稳定运行。器件的雪崩能量承受能力较强，具备一定的抗过载和瞬态冲击能力，提升了系统在异常工况下的可靠性。其输入、输出及反向传输电容均经过优化，有助于抑制高频噪声传播，改善EMI性能。UT3P06G-AE3-R还具备快速的开关响应特性，开启延迟时间（td(on)）和关断延迟时间（td(off)）分别约为10ns和18ns，配合较短的上升和下降时间，使其在高频PWM控制中表现优异。该器件对栅源电压的耐受能力强，支持±20V的栅极电压范围，增强了在复杂驱动环境下的鲁棒性。同时，其阈值电压范围适中（2.0V~3.0V），既可兼容3.3V逻辑电平驱动，也可用于传统的5V驱动电路，适用性广泛。所有金属化层和封装材料均符合无铅和绿色制造标准，满足现代电子产品对环保和可靠性的双重需求。
此外，UT3P06G-AE3-R在生产过程中实施严格的质量控制流程，确保批次一致性与长期可靠性。器件通过了高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）、温度循环（TC）等多项可靠性测试，适用于工业控制、通信电源、电动工具、无人机电源系统等对元器件寿命和稳定性要求较高的场合。由于其封装尺寸小巧（2.5×3.3mm），非常适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品的电源管理模块中，尤其是在电池充放电路径、多相VRM架构或多路DC-DC转换器中作为主开关或同步整流管使用。其低电容特性也有助于减少开关过程中的交叠损耗，提升轻载效率，延长移动设备续航时间。总体而言，UT3P06G-AE3-R是一款集高性能、小尺寸、高可靠性于一体的现代功率MOSFET，代表了当前中低压功率器件的发展方向。
主要用于同步整流、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、热插拔控制器、服务器和通信电源模块、便携式电子设备电源管理单元、LED驱动电路以及各类高效率开关电源中。
UT3P06G,AOZ5238EQI-02,SGM2593XYTS8G,AP6608GN-HF,SISS50DN
