时间：2025/6/27 5:05:46
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SI7192DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关应用，包括 DC-DC 转换器、电机驱动和负载切换等。其封装形式为表面贴装的 TO-252 (DPAK) 封装，适合自动化生产并提供良好的散热性能。
该器件的工作电压范围较宽，能够承受高达 60V 的漏源极电压（VDS），并且具有低至 4.5mΩ（典型值）的导通电阻（RDS(on)），从而有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏电流：38A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：225pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI7192DP-T1-GE3 具备卓越的电气特性和可靠性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少导通损耗，提升能效。
2. 高电流处理能力，可支持高达 38A 的连续漏电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷 Qg 和输出电荷 Qoss，非常适合高频开关应用。
4. 宽工作温度范围，从 -55°C 到 +175°C，确保在极端环境条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，采用无铅封装设计，环保且符合现代电子产品的法规要求。
6. 可靠性经过严格测试，具有较高的抗静电能力（HBM ≥ 2kV）。
7. 表面贴装封装易于集成到现代化 PCB 设计中，同时具备良好的热性能。
SI7192DP-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统中的负载切换和继电器替代。
4. 工业自动化设备中的电磁阀和继电器驱动。
5. 电池管理系统中的保护电路和充放电控制。
6. LED 照明系统的恒流驱动和调光功能。
7. 数据通信和网络设备中的信号切换与功率管理。
SI7184DP, IRFZ44N, FDP5500
