时间：2025/6/14 11:30:53
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SI7136DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有极低的导通电阻和高效率性能，非常适合用于高频开关应用和功率管理电路。其封装形式为表面贴装的 TSOP628-3，能够有效节省 PCB 空间并提高散热性能。
这种 MOSFET 常用于负载切换、DC-DC 转换器、电池管理系统以及电机驱动等场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：18nC
总电容：115pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI7136DP-T1-GE3 的主要特点是采用了 Vishay 的 TrenchFET 技术，这使得它在导通电阻方面表现出色，同时具备较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗并提升系统效率。
此外，该器件能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，并且拥有良好的热稳定性，适用于高密度设计中的功率转换和功率管理。
它的紧凑型 TSOP628-3 封装不仅提供了出色的电气性能，还简化了 PCB 设计和制造过程，特别适合需要高效能与小型化的应用环境。
该 MOSFET 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
- 笔记本电脑及平板电脑的电源适配器
- 服务器和通信设备中的 DC-DC 转换器
- 工业自动化控制中的电机驱动电路
- 各类电池保护和管理模块
- 高效负载切换和保护电路
SI7146DP, SI7446DP, IRF7832
