时间：2025/5/8 20:05:51
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SI7119DN 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TrenchFET? 第三代技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于各种高效能功率转换和负载切换应用。其封装形式为 DSOP-8，能够有效提高功率密度并降低系统功耗。
此型号 SI7119DN-T1-E3 属于 Vishay 的标准产品系列，适合批量生产且具备优异的电气性能。
最大漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）：43A
导通电阻（RDS(on)）：2.5mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷（QG）：38nC
输入电容（Ciss）：2220pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DSOP-8
SI7119DN 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力（43A），适用于大功率应用场景。
3. 快速开关速度和较低的栅极电荷 QG，可实现高频操作。
4. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +175℃），适应极端环境条件。
5. 具备 EMI 较低的开关性能，简化电磁兼容性设计。
6. 封装紧凑，支持高功率密度解决方案。
这些特点使 SI7119DN 成为许多工业、汽车及消费电子领域中功率管理的理想选择。
该 MOSFET 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率级组件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 汽车电子系统的负载切换与保护。
5. 计算机和服务器中的多相 VRM（电压调节模块）。
6. 大功率 LED 照明驱动控制。
通过其高性能指标，SI7119DN 可满足现代电力电子设备对效率和可靠性的严格要求。
SI7840DP, IRF7739PbF, FDMT7807Z
