类型：DRAM
　　封装：288针DIMM
　　容量：1GB
　　频率：2133MHz
　　电压：1.2V
　　数据速率：PC4-21300
　　CL（CL值）：CL15
　　行地址：14位
　　列地址：10位
　　工作温度：0°C 至 85°C

PC4SF11YXZBF 具备多项特性，使其在现代存储应用中表现优异。首先，它采用了DDR4技术，提供比前代DDR3更高的数据传输速率和更低的功耗。其2133MHz的工作频率和PC4-21300的带宽使得内存访问更加高效，适用于对性能要求较高的计算任务。此外，该芯片的电压为1.2V，比DDR3的1.5V更低，有助于降低整体功耗，延长电池寿命，并减少热量产生，特别适合便携式设备和高性能计算机系统。
　　该DRAM模块的CL15延迟（CAS Latency）在当前频率下表现良好，能够在保持稳定性的同时提供快速的数据访问。其14位行地址和10位列地址支持较大的内存容量扩展，确保系统可以高效管理内存资源。同时，PC4SF11YXZBF的封装形式为288针DIMM，符合行业标准，便于安装和兼容各类主板设计。
　　该芯片还支持自刷新（Self-Refresh）功能，能够在低功耗模式下保持数据完整性，从而提高系统效率。此外，它具备温度补偿自刷新（TCSEL）和校验错误检测（Parity Error Detection）等功能，进一步增强了其稳定性和可靠性。这些特性使得PC4SF11YXZBF在服务器、工作站和高性能计算环境中表现出色。

PC4SF11YXZBF 主要用于需要高稳定性和高性能内存的设备中，包括个人电脑、服务器、图形工作站、工业控制设备以及网络设备。在个人计算机中，它可作为系统内存（RAM）使用，提升多任务处理能力和程序运行速度；在服务器环境中，它能够支持大规模数据处理和虚拟化应用，确保系统稳定运行；在工业控制系统中，它的低功耗和高可靠性可满足长时间运行的需求；在网络设备中，如路由器和交换机，它可提升数据转发效率和缓存处理能力。此外，该芯片也适用于嵌入式系统和高端消费类电子产品，如智能电视、游戏主机等，为这些设备提供可靠的数据存储和访问能力。

PC4-2133P11YXZBF, PC4-2133P11YXZBA