时间：2025/6/6 0:57:10
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SI7115DN 是一款由 Vishay 推出的 N 沃特 (N-Channel) 沟道功率 MOSFET。该器件采用微型 SOT-23 封装，适用于各种空间受限的应用场景。其低导通电阻和快速开关特性使其成为消费电子、通信设备及工业控制等应用的理想选择。
SI7115DN 的设计旨在提供卓越的电气性能与可靠性，同时保持低成本和高效能。它支持从几伏到几十伏的工作电压范围，广泛用于负载开关、DC-DC 转换器以及电池管理等领域。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.4A
导通电阻（Rds(on)）：90mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：6nC（典型值）
总功耗：800mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
SI7115DN 具备以下主要特点：
1. 极低的导通电阻确保高效率，减少发热损失。
2. 支持高频开关操作，适合现代高效电源转换需求。
3. 紧凑型 SOT-23 封装节省 PCB 面积，简化布局设计。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
5. 提供稳定的电气性能，能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。
6. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境。
这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 便携式电子产品的 DC-DC 转换电路。
3. USB 充电器和适配器中的同步整流。
4. 电池保护与管理系统。
5. 工业控制设备中的信号切换。
6. LED 驱动电路中的开关元件。
7. 各种需要高性能功率管理的场合。
SI2302DS, BSS138, FDMQ8203
