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AON7296 发布时间 时间:2025/6/4 19:03:42 查看 阅读:7

AON7296是东芝(Toshiba)生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特性,适用于多种功率转换应用。AON7296常用于DC-DC转换器、负载开关、电源管理电路以及其他需要高效能开关的应用场景。
  该芯片采用了TO-252小型封装形式,这种封装有助于提高散热性能并节省PCB空间。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:14A
  导通电阻(Rds(on)):3.2mΩ
  总栅极电荷:26nC
  输入电容:1800pF
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

AON7296具有极低的导通电阻(Rds(on)),这使得它在大电流应用中能够减少功率损耗,从而提升整体效率。
  其高开关速度得益于较低的总栅极电荷和输入电容值,这使其非常适合高频开关应用。
  该器件还具有良好的热稳定性,在高温环境下也能保持稳定的工作性能。
  AON7296的封装形式紧凑,适合于对空间要求较高的设计。

应用

AON7296广泛应用于各种电力电子设备中,例如笔记本电脑适配器、移动电源、LED驱动器以及工业自动化设备中的电源管理模块。
  由于其高效的开关特性和低功耗特点,它也被广泛用于消费类电子产品中的电池充电管理和DC-DC转换电路。
  此外,AON7296还被用作负载开关,在系统启动或关闭时提供保护功能。

替代型号

AO3400A

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AON7296参数

  • 现有数量235,461现货
  • 价格1 : ¥5.09000剪切带(CT)5,000 : ¥1.82558卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Ta),12.5A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)66 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)12 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)415 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta),20.8W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN-EP(3x3)
  • 封装/外壳8-PowerVDFN