时间：2025/7/25 17:41:15
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SI6821DQ 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽技术，能够在较低的导通电阻下提供高电流能力，适用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等场景。SI6821DQ 采用 8 引脚 DFN 封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合在紧凑型电子产品中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：16A
导通电阻 Rds(on)：5.3mΩ（@ Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：8 引脚 DFN（5mm x 6mm）
SI6821DQ 具备多项优异的电气和热性能特性。其低导通电阻（Rds(on)）使其在高电流工作状态下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该 MOSFET 使用先进的沟槽式工艺制造，确保了良好的开关性能和稳定的栅极控制。其栅极驱动电压范围宽，支持在多种控制电路中灵活应用。
SI6821DQ 采用的 DFN 封装不仅提供了更小的 PCB 占用面积，还具备良好的散热能力，有助于在高功率密度应用中保持稳定的工作温度。此外，该器件的高电流承载能力和耐压能力使其适用于多种电源管理场合，如多相位供电系统、电机驱动和功率放大器等。
该 MOSFET 的热阻（RθJA）较低，有助于提高热效率并减少额外散热片的需求。同时，其出色的雪崩能量耐受能力也增强了器件在突发负载条件下的可靠性。
SI6821DQ 主要应用于高性能电源管理系统中，如同步整流器、Buck/Boost 转换器、负载开关和电池管理系统等。由于其低导通电阻和高电流能力，它在服务器电源、笔记本电脑适配器、DC-DC 转换模块和工业控制系统中被广泛采用。此外，该器件也适用于需要高效能和高可靠性的汽车电子系统，如车载充电器和电动工具等。在通信设备中，SI6821DQ 也可用于功率放大器的电源开关和稳压电路。
SiR142DP, SI6816EDB, FDS6675CZ
