SI6475DQ 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 Vishay 的 SILFET 技术,具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流能力,适用于需要高效能功率开关的应用场景。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8,具有较小的占位面积和出色的散热性能。
该 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理电路中,能够提供高效的功率转换和开关性能。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:39A
导通电阻(典型值):1.4mΩ
栅极电荷(典型值):12nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:PowerPAK? 1212-8
SI6475DQ 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高电流能力,使其能够支持大功率应用。
3. 快速开关速度,得益于较低的栅极电荷,能够减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适合各种恶劣环境下的使用。
5. 小型化封装 PowerPAK? 1212-8 提供了出色的热性能和电气性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
SI6475DQ 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级开关。
2. 各种 DC-DC 转换器,包括降压、升压和反激式拓扑结构。
3. 电动工具、家用电器等设备中的电机驱动电路。
4. 工业自动化控制系统的负载开关。
5. 大功率 LED 驱动器中的关键组件。
6. 通信设备中的电源管理和信号切换。
由于其高性能特点,这款 MOSFET 在需要高效率和高可靠性的场合特别受欢迎。
SI6462DY, SI6476DP