SI6475DQ 时间：2025/6/6 12:32:20 阅读：5

SI6475DQ 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了 Vishay 的 SILFET 技术，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高电流能力，适用于需要高效能功率开关的应用场景。其封装形式为 PowerPAK? 1212-8，具有较小的占位面积和出色的散热性能。
　　该 MOSFET 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理电路中，能够提供高效的功率转换和开关性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大连续漏极电流：39A
　　导通电阻（典型值）：1.4mΩ
　　栅极电荷（典型值）：12nC
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：PowerPAK? 1212-8

特性

SI6475DQ 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高电流能力，使其能够支持大功率应用。
　　3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷，能够减少开关损耗。
　　4. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，适合各种恶劣环境下的使用。
　　5. 小型化封装 PowerPAK? 1212-8 提供了出色的热性能和电气性能。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。

应用

SI6475DQ 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级开关。
　　2. 各种 DC-DC 转换器，包括降压、升压和反激式拓扑结构。
　　3. 电动工具、家用电器等设备中的电机驱动电路。
　　4. 工业自动化控制系统的负载开关。
　　5. 大功率 LED 驱动器中的关键组件。
　　6. 通信设备中的电源管理和信号切换。
　　由于其高性能特点，这款 MOSFET 在需要高效率和高可靠性的场合特别受欢迎。