时间：2025/6/9 18:48:02
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SI6435DQ 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术制造，具有极低的导通电阻和高效率，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其封装形式为 DFN2020-8（SMD 封装），有助于提高功率密度并减少 PCB 占用空间。
该型号中的后缀 -T1-GE3 表示其符合汽车级 AEC-Q101 标准，并具有特定的湿度敏感等级（MSL）和环保特性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：1.1mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：17nC（典型值）
总电容：195pF（典型值，Ciss）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装：DFN2020-8
SI6435DQ-T1-GE3 的主要特点是采用了先进的 TrenchFET? 第三代技术，这种技术使得该器件具备以下优势：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 更小的封装尺寸（DFN2020-8），适合对空间要求严格的紧凑型设计。
3. 符合汽车级标准（AEC-Q101），适用于恶劣环境下的应用。
4. 高效率和低热阻，确保在大电流条件下仍能保持良好的散热性能。
5. 支持高频开关操作，适合 DC-DC 转换器和其他开关模式电源的应用。
6. 具备出色的 ESD 保护性能，增强了器件的可靠性。
该 MOSFET 器件可应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 汽车电子系统，例如电动助力转向（EPS）、空调压缩机控制等。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 笔记本电脑和移动设备的电池管理系统（BMS）。
6. 多路输出 DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代方案。
SI644ADQ-T1-GE3, SI649DD-T1-GE3
