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SI5975DC-T1 发布时间 时间:2025/7/3 15:26:35 查看 阅读:8

SI5975DC-T1是一款由Silicon Labs公司生产的高精度、低抖动的时钟发生器芯片。该器件支持多种输入参考时钟源,并能够生成多个低抖动输出时钟信号,适用于通信设备、网络交换机、路由器以及其他对时钟性能要求较高的应用领域。其内部集成了PLL和分频器等功能模块,可以灵活配置以满足不同的应用场景需求。
  该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有出色的电气特性和较低的功耗表现。同时,它还提供了丰富的功能特性,例如可编程输出频率、相位调整以及电源管理选项等,便于用户根据具体需求进行优化设计。

参数

工作电压:1.8V至3.3V
  输出通道数:5
  最大输出频率:350MHz
  抖动性能:典型值为15fs RMS
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装形式:TSSOP-16

特性

1. 高精度时钟生成能力,支持宽范围的输出频率设置。
  2. 内置低噪声PLL技术,确保输出时钟信号具有极低的相位抖动。
  3. 提供多达5路独立可配置的差分或单端时钟输出。
  4. 支持多种输入参考类型,包括晶体振荡器、CMOS/TTL电平信号和差分LVPECL/LVDS信号。
  5. 具备灵活的输出格式选择,兼容LVPECL、LVDS、HCSL等多种标准。
  6. 内置电源监控与复位功能,增强系统的可靠性和稳定性。
  7. 小尺寸封装设计,适合空间受限的应用环境。

应用

SI5975DC-T1广泛应用于需要高性能时钟解决方案的各种电子系统中,主要包括:
  1. 数据通信和电信设备,如光纤收发器、基站控制器等。
  2. 网络基础设施产品,例如以太网交换机、路由器和服务器。
  3. 音视频处理设备,用于同步多媒体流传输。
  4. 测试测量仪器,提供精确的时间基准。
  5. 工业自动化控制领域,保障实时数据采集和处理的准确性。

替代型号

SI5332, SI5345, LMK04828

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SI5975DC-T1参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压12 V
  • 闸/源击穿电压+/- 8 V
  • 漏极连续电流3.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)86 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体1206-8 ChipFET
  • 封装Reel
  • 下降时间20 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.1 W
  • 上升时间20 ns
  • 工厂包装数量3000
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间31 ns