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SI4974ADY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/19 10:59:28 查看 阅读:20

SI4974ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造,具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适用于高效率电源转换应用。其小型化的封装(PowerPAK SC-70)使得该芯片非常适合空间受限的设计环境。
  SI4974ADY-T1-GE3 在消费电子、通信设备以及工业控制领域有着广泛的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:2.5A
  导通电阻(典型值):2.8mΩ
  栅极电荷:9nC
  总电容(输入电容):105pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:PowerPAK SC-70

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,能够支持高频操作,降低开关损耗。
  3. 小型化 PowerPAK SC-70 封装,节省 PCB 空间。
  4. 高电流密度设计,能够在有限的空间内提供更高的性能。
  5. 提供卓越的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  6. 具有出色的 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性。

应用

1. 移动设备中的高效 DC-DC 转换器。
  2. 笔记本电脑和智能手机中的负载开关。
  3. 电池供电设备中的电池管理和保护电路。
  4. 工业控制中的电机驱动和电源管理。
  5. 通信设备中的电源适配器和分布式电源系统。
  6. 可穿戴设备和其他便携式电子产品中的功率管理模块。

替代型号

SI4974ADY-T1-E3
  SI4974ADY-T1-GM3
  SI4974DY

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