SI4974ADY-T1-GE3 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术制造,具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适用于高效率电源转换应用。其小型化的封装(PowerPAK SC-70)使得该芯片非常适合空间受限的设计环境。
SI4974ADY-T1-GE3 在消费电子、通信设备以及工业控制领域有着广泛的应用场景,例如 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理等。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:2.5A
导通电阻(典型值):2.8mΩ
栅极电荷:9nC
总电容(输入电容):105pF
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装类型:PowerPAK SC-70
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力,能够支持高频操作,降低开关损耗。
3. 小型化 PowerPAK SC-70 封装,节省 PCB 空间。
4. 高电流密度设计,能够在有限的空间内提供更高的性能。
5. 提供卓越的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
6. 具有出色的 ESD 保护功能,增强了器件的可靠性。
1. 移动设备中的高效 DC-DC 转换器。
2. 笔记本电脑和智能手机中的负载开关。
3. 电池供电设备中的电池管理和保护电路。
4. 工业控制中的电机驱动和电源管理。
5. 通信设备中的电源适配器和分布式电源系统。
6. 可穿戴设备和其他便携式电子产品中的功率管理模块。
SI4974ADY-T1-E3
SI4974ADY-T1-GM3
SI4974DY