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IRF530 发布时间 时间:2025/7/2 15:42:37 查看 阅读:6

IRF530是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于功率转换、开关电源、电机驱动等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,适用于中等功率应用场合。
  IRF530采用TO-220封装形式,适合于表面贴装和通孔安装。其工作电压范围较广,能够承受较高的漏源电压,同时具备较低的栅极驱动要求,便于与逻辑电路直接接口。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:2.6A
  脉冲漏极电流:9.6A
  导通电阻:0.44Ω
  总功耗:40W
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRF530的主要特性包括:
  1. 高耐压能力,能够承受高达100V的漏源电压,适合多种电压等级的应用场景。
  2. 较低的导通电阻(0.44Ω),在大电流情况下能有效减少功率损耗。
  3. 快速开关特性,适合高频开关应用,降低开关损耗。
  4. 低输入电容,简化了栅极驱动设计,降低了驱动功率需求。
  5. 良好的热稳定性,能够在较高温度范围内正常工作,提高了系统的可靠性。
  6. 兼容逻辑电平驱动,可直接与数字逻辑电路或微控制器连接,无需额外的驱动级。

应用

IRF530主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器、逆变器等场合。
  2. 电机控制:用于小型直流电机的驱动和调速。
  3. 继电器替代:利用其快速开关特性,代替传统机械继电器实现电子开关功能。
  4. 照明系统:如LED驱动器中的功率开关元件。
  5. 电池管理:用于保护电路和充放电控制。
  6. 信号放大:作为功率放大器的输出级元件。

替代型号

IRFZ44N, IRF540N, BUZ11

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IRF530参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds670pF @ 25V
  • 功率 - 最大88W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF530IRF530IR