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SI4967DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/12 13:16:49 查看 阅读:20

SI4967DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的高效、全集成的降压型 DC/DC 转换器,采用同步整流技术,能够在较宽的输入电压范围内提供高效率和稳定的输出电压。该芯片内置功率 MOSFET 和补偿电路,简化了外部元件设计,适用于需要紧凑型解决方案的应用场景。
  该器件支持高达 2A 的连续输出电流,并具有可调输出电压功能,能够适应多种电源管理需求。其封装形式为 TSOT25 封装,有助于节省 PCB 空间。

参数

输入电压范围:2.7V 至 5.5V
  输出电压范围:0.8V 至 3.3V
  开关频率:2.2MHz
  输出电流:2A
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOT25
  静态电流:25μA
  效率(典型值):90%
  启动时间:5ms

特性

SI4967DY-T1-GE3 提供了高度集成的设计方案,减少了外围元件的数量,从而降低了整体系统成本并提高了可靠性。
  1. 高效的同步整流技术使得该芯片在轻载和重载条件下均能保持高效率。
  2. 内置软启动功能可以有效减少浪涌电流,保护系统稳定运行。
  3. 内部补偿机制简化了设计流程,无需复杂的外部补偿网络。
  4. 支持 PWM/PFM 自动模式切换,确保在低负载时维持高效率。
  5. 过流保护、过温保护和短路保护等功能提升了系统的安全性。

应用

SI4967DY-T1-GE3 适合用于对空间和效率有严格要求的应用领域。
  1. 移动设备:如智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备。
  2. 可穿戴设备:例如智能手表、健康监测设备等。
  3. 消费类电子产品:如数码相机、蓝牙耳机等。
  4. 工业控制模块:包括传感器供电和嵌入式控制器电源管理。
  5. 物联网设备:为低功耗无线模块提供稳定的电源支持。

替代型号

SI4968DY-T1-GE3, SI4969DY-T1-GE3

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SI4967DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 7.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)