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SI4965DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/7/8 17:30:10 查看 阅读:10

SI4965DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术,具有较低的导通电阻和优异的开关性能,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。其封装形式为表面贴装的 TSOP688-3 封装,适合自动化生产环境。
  由于其出色的电气特性,该 MOSFET 在电源管理、DC-DC 转换器、负载切换以及电池供电设备中广泛应用。

参数

型号:SI4965DY-T1-GE3
  VDS(漏源极间电压):60V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):4.2mΩ
  ID(连续漏极电流):72A
  Qg(栅极电荷):30nC
  EAS(雪崩能量):256mJ
  fT(特征频率):2.8MHz
  封装:TSOP688-3

特性

SI4965DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 极低的 RDS(on),可以显著降低传导损耗,提高效率。
  2. TrenchFET 第三代技术的应用提升了单位面积内的电流承载能力。
  3. 高雪崩能量等级,增强了器件在异常工作条件下的耐用性。
  4. 小巧的 TSOP688-3 封装使其非常适合空间受限的设计。
  5. 较低的栅极电荷 (Qg) 提供了快速的开关速度,从而减少开关损耗。
  6. 工作温度范围宽广 (-55°C 至 +175°C),适应多种极端环境应用。
  这些特性共同使得 SI4965DY-T1-GE3 成为高性能电源转换和开关应用的理想选择。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关。
  3. 电动工具、无人机等电池供电设备中的负载切换。
  4. 工业电机驱动和控制电路。
  5. 汽车电子系统中的大电流负载控制。
  6. 通信电源和分布式电源架构中的高效功率传输。
  由于其卓越的性能和可靠性,SI4965DY-T1-GE3 是众多电力电子设计中的关键组件。

替代型号

SI4966DY-T1-GE3, SI4967DY-T1-GE3

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SI4965DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C-
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C21 毫欧 @ 8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs55nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)