时间：2025/7/8 17:30:10
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SI4965DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了 TrenchFET? 第三代技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。其封装形式为表面贴装的 TSOP688-3 封装，适合自动化生产环境。
由于其出色的电气特性，该 MOSFET 在电源管理、DC-DC 转换器、负载切换以及电池供电设备中广泛应用。
型号：SI4965DY-T1-GE3
VDS（漏源极间电压）：60V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4.2mΩ
ID（连续漏极电流）：72A
Qg（栅极电荷）：30nC
EAS（雪崩能量）：256mJ
fT（特征频率）：2.8MHz
封装：TSOP688-3
SI4965DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的 RDS(on)，可以显著降低传导损耗，提高效率。
2. TrenchFET 第三代技术的应用提升了单位面积内的电流承载能力。
3. 高雪崩能量等级，增强了器件在异常工作条件下的耐用性。
4. 小巧的 TSOP688-3 封装使其非常适合空间受限的设计。
5. 较低的栅极电荷 (Qg) 提供了快速的开关速度，从而减少开关损耗。
6. 工作温度范围宽广 (-55°C 至 +175°C)，适应多种极端环境应用。
这些特性共同使得 SI4965DY-T1-GE3 成为高性能电源转换和开关应用的理想选择。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电动工具、无人机等电池供电设备中的负载切换。
4. 工业电机驱动和控制电路。
5. 汽车电子系统中的大电流负载控制。
6. 通信电源和分布式电源架构中的高效功率传输。
由于其卓越的性能和可靠性，SI4965DY-T1-GE3 是众多电力电子设计中的关键组件。
SI4966DY-T1-GE3, SI4967DY-T1-GE3
