MA0402CG1R0C250 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管,适用于高频和高效率的电力电子应用。该器件采用先进的 GaN 工艺制造,能够提供卓越的开关性能和低导通电阻,从而显著降低能量损耗并提升系统效率。其封装设计优化了散热性能,使其能够在高温环境下稳定运行。
这款功率晶体管特别适合用于电源适配器、无线充电器、太阳能逆变器以及其他需要快速开关和高效能量转换的场景。
型号:MA0402CG1R0C250
类型:增强型功率晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
额定电压:650 V
额定电流:10 A
导通电阻:1.0 Ω
栅极电荷:30 nC
最大工作温度:175 °C
封装形式:DFN8
存储温度范围:-55°C 至 150°C
MA0402CG1R0C250 的主要特点是其出色的开关性能和低导通电阻。它具有以下关键特性:
1. 高开关频率支持:由于采用了 GaN 材料,该器件可以实现比传统硅基 MOSFET 更高的开关频率,最高可达数 MHz。
2. 极低的导通电阻:仅为 1.0 Ω,这有助于减少传导损耗,提高整体效率。
3. 减少寄生效应:与传统的 Si 器件相比,GaN 晶体管具有更低的寄生电容和电感,从而进一步优化动态性能。
4. 小型化封装:采用 DFN8 封装,不仅节省空间,还增强了散热能力。
5. 宽温度范围:能在 -55°C 至 150°C 的环境中可靠运行,满足工业级和汽车级应用的需求。
这些特点使得 MA0402CG1R0C250 成为高效率、高密度电力转换的理想选择。
MA0402CG1R0C250 广泛应用于以下领域:
1. 快速充电器和 USB-PD 适配器:利用其高开关频率和低损耗特性,可实现更小体积和更高效率的设计。
2. 无线充电设备:在无线充电应用中,该器件能够提供高效的能量传输,并保持较低的工作温度。
3. 太阳能微型逆变器:用于光伏系统中的 DC/AC 转换,提升能量转换效率。
4. 数据中心电源供应:助力构建更高效率、更高功率密度的服务器电源解决方案。
5. 汽车电子系统:包括车载充电器、DC/DC 转换器等对可靠性要求极高的场景。
MA0402CG1R2C250
MA0402CG1R5C250
GAN041-650WSA