时间：2025/6/21 15:00:40
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SI4963DY-T1 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），能够显著提高效率并降低功率损耗。适用于多种高频开关和功率转换应用，其封装形式为热增强型 ThinPAK 3x3-8L 封装，适合高密度布局设计。
该器件主要面向消费电子、工业控制以及通信设备中的 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：29A
导通电阻（RDS(on)）：1.2mΩ（典型值，在 VGS=10V 时）
栅极电荷：27nC
反向恢复时间：25ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
SI4963DY-T1 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)），在不同栅极驱动电压下表现出色，可有效降低传导损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达 29A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，具备低栅极电荷和快速反向恢复时间，适合高频应用。
4. 热增强型封装设计，能够有效提高散热性能。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或续流二极管替代。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 电机驱动和电池管理系统的功率级开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 通信基础设施中的高效功率转换方案。
SI4956DY-T1, SI4964DY-T1, Si443DY
