SI4963DY-T1-GE3 时间：2025/5/27 10:35:03 阅读：21

SI4963DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于需要高性能开关的电源管理应用。其封装形式为 Hot FET? PowerPAK? 8x8，支持表面贴装，适合高密度设计。
　　该型号广泛应用于 DC/DC 转换器、负载点转换器、同步整流器以及电机驱动等领域。

参数

最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：35A
　　导通电阻（典型值）：1.7mΩ
　　栅极电荷（典型值）：65nC
　　输入电容（典型值）：2240pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：PowerPAK 8x8

特性

SI4963DY-T1-GE3 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效降低传导损耗并提升效率。
　　2. 高额定电流能力，使其适用于大功率应用场景。
　　3. 较小的封装尺寸与出色的热性能，便于实现紧凑型设计。
　　4. 快速开关速度，减少开关损耗。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且无卤素材料。
　　6. 支持高温工作环境，适应恶劣条件下的应用需求。
　　7. 内部反向二极管结构，简化电路设计并增强功能可靠性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域：
　　1. 服务器和通信设备中的 DC/DC 转换器。
　　2. 笔记本电脑和其他便携式设备的电池充电管理。
　　3. 电动工具及家用电器的电机控制。
　　4. 同步整流电路以提高效率。
　　5. 分布式电源系统中的负载点转换。
　　6. 工业自动化控制中的开关电源解决方案。
　　7. LED 照明驱动中的高效开关组件。