GA0805A121GBEBR31G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的沟道功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,非常适合在 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块等场景中使用。
其封装形式为 LFPAK8L,能够提供出色的散热性能和电气稳定性,适用于对功耗和空间有严格要求的设计。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:169A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:75nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:LFPAK8L
GA0805A121GBEBR31G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效降低导通损耗,提高系统效率。
2. 快速的开关速度,减少开关损耗并支持高频操作。
3. 高电流承载能力,适合大功率应用场景。
4. 优秀的热性能表现,确保长时间稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
6. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
该 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机控制单元。
3. 高效能电源模块,如服务器或通信设备中的电源供应。
4. 大功率 LED 驱动电路。
5. 各种电池管理系统(BMS)。
6. 智能家居与工业自动化中的负载开关。
GA0805A121GBEBR31T, IRF7832TRPBF, FDP067N04LS