您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > GA0805A121GBEBR31G

GA0805A121GBEBR31G 发布时间 时间:2025/5/27 14:41:47 查看 阅读:11

GA0805A121GBEBR31G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的沟道功率 MOSFET 芯片,专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特性,非常适合在 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块等场景中使用。
  其封装形式为 LFPAK8L,能够提供出色的散热性能和电气稳定性,适用于对功耗和空间有严格要求的设计。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:169A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:LFPAK8L

特性

GA0805A121GBEBR31G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以有效降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,减少开关损耗并支持高频操作。
  3. 高电流承载能力,适合大功率应用场景。
  4. 优秀的热性能表现,确保长时间稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。

应用

该 MOSFET 主要应用于以下领域:
  1. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
  2. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电机控制单元。
  3. 高效能电源模块,如服务器或通信设备中的电源供应。
  4. 大功率 LED 驱动电路。
  5. 各种电池管理系统(BMS)。
  6. 智能家居与工业自动化中的负载开关。

替代型号

GA0805A121GBEBR31T, IRF7832TRPBF, FDP067N04LS

GA0805A121GBEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容120 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-