时间：2025/4/30 17:34:31
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SAFEB1G57KE0F00R15 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管，专为高功率密度和高效能应用而设计。该器件采用先进的 SiC 技术，提供低导通电阻和快速开关性能，同时支持更高的工作电压和温度范围。它适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统等对效率和可靠性要求较高的场景。
该器件具有强大的短路耐受能力，并集成了全面的保护功能，如以确保系统的安全运行。其封装形式通常为 TO-247 或类似类型，适合表面贴装或通过螺钉安装。
额定电压：1200V
额定电流：80A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：150nC
开关频率：高达 100kHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
SAFEB1G57KE0F00R15 的主要特性包括以下几点：
1. 基于碳化硅 (SiC) 材料，具备出色的高温性能和低能量损耗。
2. 超低导通电阻 (3.5mΩ)，能够显著降低传导损耗。
3. 快速开关速度，支持高频操作，减少磁性元件体积并提高功率密度。
4. 高额定电压 (1200V)，适用于高压环境下的电力电子转换。
5. 内置短路保护和热关断功能，增强系统可靠性。
6. 支持宽禁带半导体技术，相比传统硅基器件效率更高且散热需求更低。
这款 MOSFET 主要应用于需要高效率和高可靠性的场景，具体包括：
1. 工业电机驱动及变频器控制。
2. 太阳能光伏逆变器与储能系统。
3. 电动汽车充电桩和车载充电器。
4. 不间断电源 (UPS) 和其他高功率电源模块。
5. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
6. 任何涉及高频开关和高压工作的电力电子设备。
C2M0080120D, STGG80H12MD, FFMA80120W
