时间：2025/6/4 2:11:31
阅读：6
SI4948BEY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TrenchFET Gen III 技术制造。该器件适用于高频开关应用，能够提供低导通电阻和快速开关速度，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等场景。
该芯片通过优化的栅极电荷设计，有效降低了开关损耗，同时具备出色的热性能，使其能够在紧凑的设计中实现高效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：37nC
总栅极电荷：48nC
输入电容：1680pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-263-3, D2PAK
SI4948BEY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速的开关速度，得益于其优化的栅极电荷设计，从而降低开关损耗。
3. 高电流处理能力，可支持高达 27A 的连续漏极电流。
4. 支持宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适合各种环境下的应用。
5. 使用 Vishay 第三代 TrenchFET 技术制造，提供卓越的功率密度和热性能。
6. 封装类型为 TO-263-3/D2PAK，易于安装且具有良好的散热性能。
该芯片广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率 MOSFET。
3. 电池管理系统 (BMS) 和保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动控制中的功率级元件。
5. 工业自动化设备中的功率开关组件。
6. 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电源管理单元。
SI4948DY, SIH4948E, IRF7848
