您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/4 2:11:31 查看 阅读:6

SI4948BEY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 TrenchFET Gen III 技术制造。该器件适用于高频开关应用,能够提供低导通电阻和快速开关速度,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等场景。
  该芯片通过优化的栅极电荷设计,有效降低了开关损耗,同时具备出色的热性能,使其能够在紧凑的设计中实现高效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷:37nC
  总栅极电荷:48nC
  输入电容:1680pF
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-263-3, D2PAK

特性

SI4948BEY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
  2. 快速的开关速度,得益于其优化的栅极电荷设计,从而降低开关损耗。
  3. 高电流处理能力,可支持高达 27A 的连续漏极电流。
  4. 支持宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适合各种环境下的应用。
  5. 使用 Vishay 第三代 TrenchFET 技术制造,提供卓越的功率密度和热性能。
  6. 封装类型为 TO-263-3/D2PAK,易于安装且具有良好的散热性能。

应用

该芯片广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器中的功率 MOSFET。
  3. 电池管理系统 (BMS) 和保护电路中的负载开关。
  4. 电机驱动控制中的功率级元件。
  5. 工业自动化设备中的功率开关组件。
  6. 笔记本电脑和其他便携式电子设备中的电源管理单元。

替代型号

SI4948DY, SIH4948E, IRF7848

SI4948BEY-T1-GE3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI4948BEY-T1-GE3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SI4948BEY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C120 毫欧 @ 3.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4948BEY-T1-GE3TR