时间：2025/6/11 17:02:05
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FQPF4N90C 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于高效率电源转换和电机驱动等场景。
该型号的 MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色，能够满足各种工业级和消费级电子设备的需求。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：4A
导通电阻：1.6Ω
栅极电荷：25nC
总电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
FQPF4N90C 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，可承受高达 900V 的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻，仅为 1.6Ω，有助于降低功耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能，其栅极电荷较小，能够实现高效的高频操作。
4. 工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 +150℃，确保在极端条件下的稳定性。
5. 封装形式为 TO-220，便于散热和安装，同时兼容多种 PCB 设计。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. 逆变器和变频器中的功率控制单元。
3. 各类电机驱动电路中的开关组件。
4. 电磁阀和其他需要高压切换的工业设备。
5. 电动汽车和新能源技术中的相关电力电子系统。
IRF840, FQP17N90
