时间：2025/5/10 8:47:01
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SI4948BEY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的 TSSOP-6 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它通常用于负载切换高效功率开关的应用场景。
由于其低导通电阻特性，该 MOSFET 能够在高频应用中提供更高效的功率转换，并减少热量的产生。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：5.2A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：7nC
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TSSOP-6
SI4948BEY-T1-E3 的主要特点是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这使其非常适合于需要高效功率传输的应用。此外，它的高开关速度能够减少开关损耗，在高频条件下表现优异。这款 MOSFET 支持逻辑电平驱动，因此可以直接与大多数微控制器或数字电路接口使用，无需额外的驱动级。此外，它具备出色的热稳定性，适用于恶劣的工作环境。
另外，由于采用了小型 TSSOP-6 封装，该器件能够节省 PCB 空间，适合便携式设备和其他空间受限的设计。
该 MOSFET 常见于以下应用场景：
1. 电池供电设备中的负载开关
2. DC-DC 转换器中的同步整流
3. 电机驱动电路中的功率开关
4. 开关电源中的主开关
5. 保护电路中的电子保险丝
6. 信号切换和多路复用
SI4446DY, SI4955DY
