DMP6250SE是一款高性能的N沟道增强型MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关和其他需要高效功率转换的应用场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频条件下实现高效的功率传输和控制。
这款MOSFET适合中等电压应用场合,其封装形式为SOT-223,具备出色的散热性能和紧凑的体积设计,能够满足多种电子电路对空间和效率的要求。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:28A
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极电荷:29nC(典型值)
总电容:210pF(典型值)
工作结温范围:-55℃至+175℃
DMP6250SE的主要特点是低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体效率。同时,该器件具有较高的电流承载能力,在高频开关应用中表现优异。此外,SOT-223封装不仅提供了良好的热性能,还便于表面贴装和焊接操作。
该MOSFET支持快速开关,减少了开关损耗,并且具备较高的抗静电能力(ESD防护),增强了其在实际应用中的可靠性。由于其优秀的电气特性和物理结构,DMP6250SE非常适合用于要求高效能和稳定性的各种功率管理系统中。
DMP6250SE适用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级
2. 各类电机驱动电路
3. 负载开关和保护电路
4. 工业自动化设备中的功率控制
5. 电池管理系统的充放电控制
6. LED驱动器及照明系统中的功率调节
该器件凭借其卓越的性能,成为许多需要高效率、大电流处理能力的应用的理想选择。
DMP6002LSE, IRFZ44N, FDP5500