时间：2025/4/2 8:56:35
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KSRV05-4MR6T1G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用了先进的沟槽式结构设计，具有低导通电阻、高效率和出色的热性能等特性，适合在高频开关应用中使用。
型号：KSRV05-4MR6T1G
封装形式：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：5.7A
导通电阻（Rds(on)）：4mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：38nC
反向恢复时间（trr）：35ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗。
2. 高效的开关性能，适用于高频电路设计。
3. 先进的沟槽技术使得芯片具备更小的尺寸和更高的功率密度。
4. 出色的热稳定性，在极端温度环境下仍能保持稳定的工作状态。
5. 紧凑的封装形式有助于节省PCB空间，同时提供良好的散热能力。
6. 支持高电流输出，满足多种工业应用需求。
7. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电机控制与驱动电路中的功率级器件。
3. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
6. LED 驱动器中的高效功率转换组件。
7. 各种消费类电子产品中的功率开关和保护电路。
KSRV05-4MR6T2G, KSRV05-4MR8T1G, FDP5800
