SI4946DY-T1-E3 时间：2025/6/17 0:14:50 阅读：4

SI4946DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于多种开关和功率管理应用。其封装形式为 TinySOT-23 (SC-89)，能够有效节省 PCB 空间。
　　这款 MOSFET 适合用于负载切换、DC-DC 转换器、同步整流以及便携式电子设备中的电源管理电路。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：2.8A
　　导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
　　栅极电荷：6nC
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：TinySOT-23

特性

SI4946DY-T1-E3 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 小型化封装设计，非常适合空间受限的应用环境。
　　3. 高速开关性能，得益于较低的栅极电荷和输入电容。
　　4. 增强的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

该器件广泛应用于各种需要高效功率转换和小型化的场景，例如：
　　1. 移动设备和消费类电子产品的电源管理。
　　2. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
　　3. LED 驱动器中的负载切换。
　　4. 电池供电设备中的保护和控制电路。
　　5. 便携式电子设备中的 DC-DC 转换器和升压/降压电路。