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MMBFJ309LT1G 发布时间 时间:2025/5/22 15:10:25 查看 阅读:3

MMBFJ309LT1G 是一款 NPN 型的小信号晶体管,广泛应用于高频放大、开关电路以及其他低功率应用领域。该晶体管具有较高的增益和良好的频率特性,适合在射频(RF)和无线通信系统中使用。
  其封装形式为 SOT-23,这种小型化表面贴装封装使其非常适合于空间受限的 PCB 设计环境。

参数

集电极-发射极电压:45V
  集电极电流:200mA
  直流电流增益(hFE):100-600
  功率耗散:315mW
  过渡频率(fT):700MHz
  存储温度范围:-55℃至+150℃

特性

MMBFJ309LT1G 拥有高频率响应能力,特别适合用作高频放大器或振荡器中的关键元件。
  它具备以下显著特点:
  1. 高增益性能,使得其在小信号放大的场景下表现优异。
  2. 小型化的 SOT-23 封装,有助于减少 PCB 的占用面积。
  3. 工作频率高达 700MHz,能够满足大多数射频应用需求。
  4. 较宽的工作温度范围,确保了其在恶劣环境下也能稳定运行。

应用

该晶体管主要应用于高频和射频相关领域,具体包括:
  1. 射频放大器和混频器。
  2. 无线通信设备中的信号处理电路。
  3. 高速开关电路。
  4. 便携式电子设备中的低噪声放大器。
  5. 数据传输模块中的信号增强组件。

替代型号

MMBT3904LT1G, BC847B

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MMBFJ309LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF FET
  • 系列-
  • 晶体管类型N 通道 JFET
  • 频率-
  • 增益-
  • 电压 - 测试-
  • 额定电流30mA
  • 噪音数据-
  • 电流 - 测试-
  • 功率 - 输出-
  • 电压 - 额定25V
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR