时间：2025/5/12 12:28:03
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SI4946BEY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具备低导通电阻和高效率的特点，适用于多种电源管理应用。其封装形式为 ThinPAK 2x2-8L，具有极小的占位面积和出色的散热性能。
这款 MOSFET 主要用于需要高效能和紧凑设计的应用场合，例如 DC/DC 转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备中的功率管理模块。
最大漏源电压(Vds)：20V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：7.5A
导通电阻(Rds(on))：1.2mΩ (在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg)：10nC
输入电容(Ciss)：130pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：ThinPAK 2x2-8L
SI4946BEY-T1-GE3 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 7.5A 的连续漏极电流。
3. 小巧的封装尺寸，适合空间受限的设计。
4. 出色的热性能，能够有效散发热量以保证稳定运行。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种严苛环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
7. 低栅极电荷 Qg 和快速开关速度，减少开关损耗。
这些特性使其成为便携式电子设备和高效电源转换的理想选择。
SI4946BEY-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS) 中的功率级开关。
2. DC/DC 转换器的核心元件，用于实现高效的电压调节。
3. 各类负载开关场景，如 USB 接口保护或电池充电控制。
4. 同步整流电路中作为整流二极管的替代方案。
5. 电池管理系统(BMS) 中的关键组件，用于优化能量分配与管理。
6. 工业自动化设备中的功率驱动部分。
由于其高性能表现和紧凑设计，该 MOSFET 在消费电子、通信设备及工业控制等领域均有广泛应用。
SI4947DY-T1-GE3, SI4948DY-T1-GE3
