DMN3024LK3-13是一款来自Diodes Incorporated的MOSFET器件,属于Power MOSFET系列。该型号采用了先进的制造工艺和封装技术,主要针对需要高效功率转换的应用场景设计。其特点在于低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,适合用于各种消费类电子、通信设备以及工业控制等应用领域。
该器件采用SOT-23-3L小型封装,能够显著节省PCB空间,同时保持良好的散热性能。DMN3024LK3-13广泛适用于负载开关、DC/DC转换器、电池管理、电源管理模块以及其他低压功率处理电路中。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):2.9A
导通电阻(Rds(on)):58mΩ (典型值,Vgs=4.5V)
总功耗(Ptot):570mW
工作温度范围(Ta):-55°C to +150°C
封装形式:SOT-23-3L
DMN3024LK3-13具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升效率。
2. 快速开关能力,适合高频开关应用。
3. 高雪崩耐量能力,增强了在异常情况下的可靠性。
4. 小型化SOT-23-3L封装,有效节省电路板空间。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 良好的热稳定性,在宽广的工作温度范围内保持一致性能。
这些特性使其成为便携式设备、电池供电系统以及对能效敏感的应用的理想选择。
DMN3024LK3-13适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
1. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
2. 移动设备和可穿戴设备的电源管理模块。
3. DC/DC转换器及降压/升压电路中的开关元件。
4. 电池管理系统中的充电/放电路径控制。
5. LED驱动电路中的功率调节元件。
6. 工业控制设备中的信号切换与功率传输。
由于其紧凑的设计和高效的性能表现,DMN3024LK3-13特别适合那些对空间和能耗有严格要求的应用环境。
DMN3026UFG-13, DMN3027SG-13, DMN3028LG-13