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DMN3024LK3-13 发布时间 时间:2025/7/2 16:17:07 查看 阅读:4

DMN3024LK3-13是一款来自Diodes Incorporated的MOSFET器件,属于Power MOSFET系列。该型号采用了先进的制造工艺和封装技术,主要针对需要高效功率转换的应用场景设计。其特点在于低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,适合用于各种消费类电子、通信设备以及工业控制等应用领域。
  该器件采用SOT-23-3L小型封装,能够显著节省PCB空间,同时保持良好的散热性能。DMN3024LK3-13广泛适用于负载开关、DC/DC转换器、电池管理、电源管理模块以及其他低压功率处理电路中。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vdss):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):2.9A
  导通电阻(Rds(on)):58mΩ (典型值,Vgs=4.5V)
  总功耗(Ptot):570mW
  工作温度范围(Ta):-55°C to +150°C
  封装形式:SOT-23-3L

特性

DMN3024LK3-13具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提升效率。
  2. 快速开关能力,适合高频开关应用。
  3. 高雪崩耐量能力,增强了在异常情况下的可靠性。
  4. 小型化SOT-23-3L封装,有效节省电路板空间。
  5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 良好的热稳定性,在宽广的工作温度范围内保持一致性能。
  这些特性使其成为便携式设备、电池供电系统以及对能效敏感的应用的理想选择。

应用

DMN3024LK3-13适用于多种应用场景,包括但不限于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
  2. 移动设备和可穿戴设备的电源管理模块。
  3. DC/DC转换器及降压/升压电路中的开关元件。
  4. 电池管理系统中的充电/放电路径控制。
  5. LED驱动电路中的功率调节元件。
  6. 工业控制设备中的信号切换与功率传输。
  由于其紧凑的设计和高效的性能表现,DMN3024LK3-13特别适合那些对空间和能耗有严格要求的应用环境。

替代型号

DMN3026UFG-13, DMN3027SG-13, DMN3028LG-13

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DMN3024LK3-13参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.78A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12.9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds608pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.17W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DMN3024LK3-13DITR