时间：2025/5/12 8:45:21
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SI4936DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET? 第三代技术，具有极低的导通电阻和高效率性能，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及其他功率管理应用。其封装形式为 SO-8（PowerPAK? SO-8），具有出色的散热特性和紧凑的设计。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：29A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：15nC（典型值）
总栅极电荷：27nC（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：SO-8
SI4936DY-T1-GE3 使用先进的 TrenchFET? 第三代工艺制造，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高效的开关性能，适合高频应用环境。
3. 小巧的 PowerPAK? SO-8 封装，便于在空间受限的应用中使用。
4. 支持大电流运行，满足高性能功率转换需求。
5. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境下的使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
这些特性使得该器件成为众多功率管理应用的理想选择，特别是在需要高效能与小尺寸设计的情况下。
SI4936DY-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. OR-ing 应用中的理想二极管功能。
3. 多种负载开关和保护电路。
4. 电机驱动与控制。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 高效功率逆变器和光伏逆变器。
由于其低导通电阻和高频性能，这款 MOSFET 在提升系统效率和减小整体尺寸方面表现优异。
SI4938DY, SIH4936E
