时间：2025/5/29 17:30:37
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SI4936DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源管理应用。其小型化的封装形式（DFN8 3x3）使其非常适合空间受限的设计环境。
该型号特别适合高频 DC-DC 转换器、负载开关以及同步整流等应用场景，同时支持高达 30V 的连续漏极电压。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：22A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：27nC（典型值）
输入电容：1020pF（典型值）
功耗：23W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DFN8（3x3mm）
SI4936DY-T1-E3 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，可有效减少功率损耗并提升效率。
2. 高效的开关性能，适用于高频应用场合。
3. 小型化封装设计，在紧凑型电路板布局中表现出色。
4. 工作温度范围宽广，能够适应恶劣的工作条件。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 内置 ESD 保护功能，提升了器件在实际应用中的可靠性。
这些特性使得该器件成为需要高效、高性能和高可靠性的应用的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 同步整流电路。
3. 电池管理系统（BMS）。
4. 汽车电子设备中的负载开关。
5. 计算机和通信设备中的功率转换模块。
6. LED 照明驱动电路。
由于其出色的性能，SI4936DY-T1-E3 在消费电子、工业控制和汽车电子等多个行业中都有广泛应用。
SI4937DY, SI4938DY
