SI4936DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能电源管理应用。其小型化的封装形式(DFN8 3x3)使其非常适合空间受限的设计环境。
该型号特别适合高频 DC-DC 转换器、负载开关以及同步整流等应用场景,同时支持高达 30V 的连续漏极电压。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:22A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:27nC(典型值)
输入电容:1020pF(典型值)
功耗:23W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:DFN8(3x3mm)
SI4936DY-T1-E3 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提升效率。
2. 高效的开关性能,适用于高频应用场合。
3. 小型化封装设计,在紧凑型电路板布局中表现出色。
4. 工作温度范围宽广,能够适应恶劣的工作条件。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
6. 内置 ESD 保护功能,提升了器件在实际应用中的可靠性。
这些特性使得该器件成为需要高效、高性能和高可靠性的应用的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 同步整流电路。
3. 电池管理系统(BMS)。
4. 汽车电子设备中的负载开关。
5. 计算机和通信设备中的功率转换模块。
6. LED 照明驱动电路。
由于其出色的性能,SI4936DY-T1-E3 在消费电子、工业控制和汽车电子等多个行业中都有广泛应用。
SI4937DY, SI4938DY