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SI4936DY-T1-E3 发布时间 时间:2025/5/29 17:30:37 查看 阅读:11

SI4936DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 TrenchFET 第三代技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能电源管理应用。其小型化的封装形式(DFN8 3x3)使其非常适合空间受限的设计环境。
  该型号特别适合高频 DC-DC 转换器、负载开关以及同步整流等应用场景,同时支持高达 30V 的连续漏极电压。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:22A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:27nC(典型值)
  输入电容:1020pF(典型值)
  功耗:23W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:DFN8(3x3mm)

特性

SI4936DY-T1-E3 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,可有效减少功率损耗并提升效率。
  2. 高效的开关性能,适用于高频应用场合。
  3. 小型化封装设计,在紧凑型电路板布局中表现出色。
  4. 工作温度范围宽广,能够适应恶劣的工作条件。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 内置 ESD 保护功能,提升了器件在实际应用中的可靠性。
  这些特性使得该器件成为需要高效、高性能和高可靠性的应用的理想选择。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 同步整流电路。
  3. 电池管理系统(BMS)。
  4. 汽车电子设备中的负载开关。
  5. 计算机和通信设备中的功率转换模块。
  6. LED 照明驱动电路。
  由于其出色的性能,SI4936DY-T1-E3 在消费电子、工业控制和汽车电子等多个行业中都有广泛应用。

替代型号

SI4937DY, SI4938DY

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SI4936DY-T1-E3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流5.8 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)37 mOhms
  • 配置Dual
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 下降时间24 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散2 W
  • 上升时间10 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间27 ns
  • 零件号别名SI4936DY-E3