时间：2025/5/12 20:43:43
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SI4927DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于高频开关应用。它广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中。
该型号采用 TSOT23-6 封装形式，具有出色的热性能和较小的占板面积，非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：13nC
开关速度：快速
封装类型：TSOT23-6
SI4927DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 低导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提高效率。
2. 极低的栅极电荷 (Qg)，适合高频开关应用。
3. 更小的 TSOT23-6 封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。
4. 符合 RoHS 标准，并具备无卤素特性。
5. 支持高浪涌能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击。
6. 高效的热管理，确保稳定运行。
该器件适合以下应用领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 便携式电子设备中的负载开关。
3. 消费类电子产品中的电池保护电路。
4. 小型电机驱动和控制。
5. 各种工业及通信领域的高效能功率转换模块。
由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，SI4927DY-T1-GE3 成为众多设计工程师的理想选择。
SI4926DY, SI4410DY
