CEU30P10是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力,从而提高了效率并降低了功耗。
CEU30P10属于N沟道增强型MOSFET,具有快速开关速度和优异的热性能,适用于各种高功率密度的应用场景。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:10A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:30nC
输入电容:1200pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
CEU30P10的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗。
2. 高电流承载能力,支持高达10A的连续漏极电流。
3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗。
4. 较高的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
5. 良好的热性能,确保长时间稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
CEU30P10广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 直流电机驱动电路,用于控制电机的速度和方向。
3. 各类负载开关和保护电路,实现高效能的电力管理。
4. 工业设备中的功率转换模块。
5. 汽车电子系统中的电源管理单元。
6. 其他需要高效功率切换的应用场景。
CEU30P8, IRFZ44N, FDP151N03L