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CEU30P10 发布时间 时间:2025/7/3 23:24:57 查看 阅读:7

CEU30P10是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供较低的导通电阻和较高的电流处理能力,从而提高了效率并降低了功耗。
  CEU30P10属于N沟道增强型MOSFET,具有快速开关速度和优异的热性能,适用于各种高功率密度的应用场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:30nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

CEU30P10的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达10A的连续漏极电流。
  3. 快速开关特性,有助于减少开关损耗。
  4. 较高的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
  5. 良好的热性能,确保长时间稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。

应用

CEU30P10广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 直流电机驱动电路,用于控制电机的速度和方向。
  3. 各类负载开关和保护电路,实现高效能的电力管理。
  4. 工业设备中的功率转换模块。
  5. 汽车电子系统中的电源管理单元。
  6. 其他需要高效功率切换的应用场景。

替代型号

CEU30P8, IRFZ44N, FDP151N03L

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