时间：2025/6/3 21:17:20
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SI4922DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。其封装形式为 ThinSOT-23（SC-89），非常适合空间受限的设计场景。
由于采用了先进的制造工艺，SI4171D 在小型化的同时依然保持了出色的电气性能和热性能，使其成为便携式设备的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值）：55mΩ
栅极电荷（典型值）：2.5nC
输入电容（典型值）：120pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：ThinSOT-23
SI4922DY-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 高开关速度，适合高频应用环境。
3. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
4. 出色的热稳定性，确保在宽温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。
6. 内置 ESD 保护功能，提升抗静电能力。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 手机充电器及适配器中的同步整流电路。
2. 便携式电子设备（如平板电脑、蓝牙音箱等）的负载开关。
3. DC-DC 转换器中的功率开关。
4. 低功耗电机驱动控制。
5. 电池管理系统的开关元件。
6. 各类消费类电子产品中的电源管理模块。
SI4406DY, SI4407DY, SI4408DY
