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SI4922DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/3 21:17:20 查看 阅读:6

SI4922DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。其封装形式为 ThinSOT-23(SC-89),非常适合空间受限的设计场景。
  由于采用了先进的制造工艺,SI4171D 在小型化的同时依然保持了出色的电气性能和热性能,使其成为便携式设备的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:2.9A
  导通电阻(典型值):55mΩ
  栅极电荷(典型值):2.5nC
  输入电容(典型值):120pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:ThinSOT-23

特性

SI4922DY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 高开关速度,适合高频应用环境。
  3. 小型化封装设计,节省 PCB 空间。
  4. 出色的热稳定性,确保在宽温度范围内可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。
  6. 内置 ESD 保护功能,提升抗静电能力。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 手机充电器及适配器中的同步整流电路。
  2. 便携式电子设备(如平板电脑、蓝牙音箱等)的负载开关。
  3. DC-DC 转换器中的功率开关。
  4. 低功耗电机驱动控制。
  5. 电池管理系统的开关元件。
  6. 各类消费类电子产品中的电源管理模块。

替代型号

SI4406DY, SI4407DY, SI4408DY

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