L2SK3019LT1G 时间：2025/5/19 14:23:08 阅读：4

L2SK3019LT1G 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。这款器件专为高效率和高功率密度的应用场景设计，适用于工业和汽车领域中的开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。其低导通电阻特性能够显著降低传导损耗，从而提高整体系统效率。
　　该型号由意法半导体（STMicroelectronics）制造，具有出色的热性能和电气性能，同时支持高频率操作。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：17A
　　导通电阻（典型值）：45mΩ
　　栅极电荷（典型值）：82nC
　　输入电容（典型值）：1150pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃

特性

L2SK3019LT1G 具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提升效率。
　　2. 高额定电压 (650V)，可满足各种高压应用需求。
　　3. 支持宽温度范围，能够在极端环境下稳定运行。
　　4. 紧凑的 TOLL 封装设计，提供卓越的散热性能。
　　5. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车级应用中的可靠性。
　　6. 内置反向恢复二极管，进一步优化了开关性能。

应用

L2SK3019LT1G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关元件。
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
　　3. 电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV) 的牵引逆变器。
　　4. 工业设备中的电机驱动和负载切换。
　　5. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
　　6. 各类高频电力电子装置中的功率开关。