时间：2025/6/21 18:38:02
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SI4921DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET Gen III 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等。其封装形式为表面贴装 SO-8（PowerPAK SO-8），适合紧凑型设计需求。
这款 MOSFET 的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下能显著降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5A
导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ @ Vgs=10V
总栅极电荷：27nC
输入电容：1550pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
2. 高效的开关性能，适合高频应用。
3. 小型 PowerPAK SO-8 封装，节省空间且具备良好的热性能。
4. 高雪崩能力和坚固的设计确保了可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
6. 支持宽范围的工作温度，适应多种环境条件。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动和控制中的功率级元件。
5. 各类消费电子设备中的电源管理单元。
6. 工业自动化领域内的继电器替代方案。
SI4920DY, IRF7832, FDMC8618
