EMD9T2R
时间:2023/2/28 14:22:22
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制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
概述
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: 数字晶体管
晶体管极性: NPN/PNP
封装: Reel
EMD9T2R资料
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- EMD9T2R
- Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) ...
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阅览
EMD9T2R参数
- 标准包装8,000
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 系列-
- 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
- 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
- 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
- 电流 - 集电极截止(最大)500nA
- 频率 - 转换250MHz
- 功率 - 最大150mW
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装EMT6
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称EMD9T2R-NDEMD9T2RTR