时间：2025/5/12 12:48:17
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SI4890BDY-T1-GE3 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有超低导通电阻和极佳的开关性能，适用于高效率电源转换、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用领域。其封装形式为 ThinSOT25 (SC-79)，有助于节省电路板空间并提高功率密度。
该型号特别适合对效率和热性能有较高要求的设计场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.6A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
栅极电荷：1.9nC（典型值）
输入电容：350pF（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 150°C
封装类型：ThinSOT25 (SC-79)
SI4890BDY-T1-GE3 的主要特点是其超低导通电阻和优化的栅极电荷设计，这使得它在高频开关应用中表现出色。此外，该器件还具有以下优势：
- 极低的导通电阻有助于减少传导损耗，提升系统效率。
- 较小的封装尺寸（ThinSOT25）使其非常适合空间受限的应用。
- 高速开关能力使其适用于同步整流和降压/升压转换器。
- 具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠运行。
- 符合 RoHS 标准，环保且易于焊接。
该 MOSFET 广泛应用于各种消费类电子、工业控制和通信设备中，包括但不限于：
- 手机和平板电脑充电器中的同步整流电路。
- 笔记本适配器和小型 DC-DC 转换器。
- USB-PD 控制器的负载开关。
- 小功率电机驱动和电池管理系统。
- LED 驱动器和便携式设备的电源管理模块。
由于其出色的效率表现，SI4890BDY-T1-GE3 成为众多工程师设计高效电源解决方案的理想选择。
SI4891DY, SI4432DY, BSS138
