74LVC2G126DP是一款双三态非门(Dual Three-State Buffer Gate with Inversion)芯片,采用先进的CMOS技术制造。该器件支持低电压操作,具有高噪声容限和低功耗的特点。每个三态缓冲器可以将输入信号反相并根据使能端的状态输出到总线或保持高阻状态。
这款芯片通常用于数字电路设计中,例如数据总线控制、信号切换以及逻辑电平转换等场景。
供电电压(Vcc):1.65V~5.5V
传播延迟时间(tPLH/tPHL):最大5ns(在Vcc=3.3V时)
工作温度范围:-40°C~+85°C
封装形式:DIP/SOIC
输入电流(Iil):最大-1μA
输出电流(Iol/Ioh):最大±24mA
通道数:2
静态电流(Icc):最大10μA
74LVC2G126DP的主要特性包括:
1. 支持宽电压范围操作(1.65V至5.5V),适用于多种电源环境。
2. 具有极低的传播延迟时间,确保高速数据传输。
3. 高噪声容限,能够在嘈杂的电磁环境中稳定工作。
4. 双三态非门结构,允许灵活的信号控制和切换。
5. CMOS工艺制造,提供低功耗和高可靠性。
6. 工作温度范围广,适合工业级应用需求。
7. 提供多种封装形式以适应不同设计要求。
74LVC2G126DP广泛应用于各种电子系统中,具体包括:
1. 数据总线控制,用于实现多路信号的选择与切换。
2. 数字信号处理,用于信号的反相和缓冲。
3. 微处理器接口设计,用于连接不同逻辑电平的电路。
4. 存储器和外设扩展,用于管理复杂的外围设备。
5. 工业自动化控制系统,提供可靠的信号传输功能。
6. 消费类电子产品,如电视、音响和其他家用电器中的信号管理。
其灵活性和高性能使其成为许多数字电路设计的理想选择。
74HC240, 74LVC2G125